根據(jù) TrendForce 存儲(chǔ)器儲(chǔ)存研究（DRAMeXchange）調(diào)查顯示，北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強(qiáng)勁，以及 DRAM 供給端產(chǎn)能與制程受限制下，并不能滿足整體服務(wù)器存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求，Server DRAM 供不應(yīng)求的情形在第三季更為顯著。受平均零售價(jià)（Average Selling Price）墊高帶動(dòng)，三大 DRAM 原廠第三季營(yíng)收成長(zhǎng)約 25.2%。

DRAMeXchange 分析師劉家豪指出，進(jìn)入第四季，在服務(wù)器出貨動(dòng)能不減的情況下，整體 Server DRAM 供不應(yīng)求的狀況將更為明顯，Server DRAM 第四季合約價(jià)將持續(xù)上漲 6% 至 10%，可望帶動(dòng)廠商營(yíng)收與利潤(rùn)率表現(xiàn)再創(chuàng)新高。

三星（Samsung）

以目前市場(chǎng)規(guī)模來(lái)看，三星受惠于整體 DRAM 市場(chǎng)占有率與制程技術(shù)領(lǐng)先，市場(chǎng)上 Server DRAM 表現(xiàn)格外亮眼。值得一提的是，三星在高容量模組與布局也相對(duì)積極，第三季度整體 Server DRAM 營(yíng)收來(lái)到 25.49 億美元，季增 28.4%，占整體市場(chǎng)約 45.9%。

展望第四季，來(lái)自于服務(wù)器的需求將達(dá)到今年的頂峰，高容量的模組需求也隨著新平臺(tái)導(dǎo)入進(jìn)而攀升至年度高點(diǎn)，Server DRAM 仍然供不應(yīng)求。然而，三星現(xiàn)階段仍然會(huì)持續(xù)針對(duì)各家 OEM / ODM 調(diào)整供貨達(dá)成率，以達(dá)成滿足主要客戶(hù)需求與提高獲利水位的目標(biāo)。

制程方面，三星今年 Server DRAM 仍以 20nm 產(chǎn)出為主，18nm 比重在第四季將會(huì)提升至 40%，預(yù)期至 2018 年第一季底將逾五成，逐漸成為主流產(chǎn)品。在高容量芯片的規(guī)劃上，三星將會(huì)在其 18nm 導(dǎo)入 16Gb mono die 的設(shè)計(jì)，目前已送樣品至英特爾測(cè)試，預(yù)計(jì)在 2018 度第二季導(dǎo)入生產(chǎn)線，預(yù)期將大幅改善 Server DRAM 的成本結(jié)構(gòu)，并有利于高容量模組布局。

SK 海力士（SK Hynix）

受惠于北美數(shù)據(jù)中心備貨需求帶動(dòng)，SK海力士第三季營(yíng)收較第二季大幅成長(zhǎng) 30.1% 至 17.92 億美元，營(yíng)業(yè)利益率也較第二季改善許多。若從制程進(jìn)展來(lái)看，SK 海力士 Server DRAM 仍以 21nm 為主，而 18nm Server DRAM 將會(huì)在 2018 年第一季底小量生產(chǎn)，預(yù)計(jì)在第二季后產(chǎn)能逐步釋放，且隨著 ODM 認(rèn)證進(jìn)度與良率改善下，18nm 產(chǎn)量比重將會(huì)進(jìn)一步提高。從產(chǎn)能規(guī)劃來(lái)看，SK 海力士將會(huì)逐漸提高 M14 Phase 1 的產(chǎn)能以及無(wú)錫廠 18nm 制程轉(zhuǎn)換，其中 Server DRAM 將占其 DRAM 產(chǎn)品比重逾三成，部分產(chǎn)能將會(huì)隨著市場(chǎng)需求而略為調(diào)整，以維持獲利水平。面對(duì)服務(wù)器訂單的熱絡(luò)，除了產(chǎn)品線調(diào)整外，SK 海力士也會(huì)提高高容量模組如 32G 與 64G 的出貨占比，預(yù)期明年高容量模組的出貨將會(huì)提升至六成???????位。

美光（Micron）

受到價(jià)格持續(xù)上漲以及制程微縮所帶來(lái)的成本效益，美光第三季 Server DRAM 位出貨量較前一季度成長(zhǎng)，平均銷(xiāo)售單價(jià)也有局部的躍升，激勵(lì) Server DRAM 產(chǎn)品營(yíng)收成長(zhǎng)達(dá) 13% 來(lái)到 12.07 億美元。

從產(chǎn)品面來(lái)分析，美光在 Server DRAM 的比重仍然維持在近三成水位，現(xiàn)階段獲利的持續(xù)增長(zhǎng)完全有賴(lài)于存儲(chǔ)器平均銷(xiāo)售單價(jià)的提升。展望明年，美光將會(huì)隨著其 17nm 進(jìn)展與改善而進(jìn)行增產(chǎn)；截至目前，其良率已有進(jìn)一步提升且已送樣，但在 Server DRAM 產(chǎn)品線的規(guī)劃上，仍將會(huì)視明年第二季后，良率是否能達(dá)到經(jīng)濟(jì)規(guī)模下才會(huì)增加投片，現(xiàn)階段仍然以既有的 20nm 為主???????產(chǎn)品。